+7 (495) 212-15-66
> > В Курчатовском институте создан новый двумерный магнит, интегрированный в кремниевую электронику

В Курчатовском институте создан новый двумерный магнит, интегрированный в кремниевую электронику

[[{«value»:»

Материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряженные со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы.

«}]]  Материал представляет собой графеноподобные слои AlSi из чередующихся атомов алюминия и кремния, сопряженные со слоями Gd (гадолиния), обеспечивающими магнитные свойства системы.  Атомная энергия 2.0 Read More